DMN3032LFDB-13 | |
---|---|
Part Number | DMN3032LFDB-13 |
Producent | Diodes Incorporated |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 |
dostępna ilość | 2652 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | |
DMN3032LFDB-13 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o DMN3032LFDB-13 | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | DMN3032LFDB-13 | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
Producent | Diodes Incorporated | Opis | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 |
Pakiet / obudowa | Tape & Reel (TR) | dostępna ilość | 2652 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Dostawca urządzeń Pakiet | U-DFN2020-6 (Type B) |
Seria | - | RDS (Max) @ ID, Vgs | 30 mOhm @ 5.8A, 10V |
Moc - Max | 1W | Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 500pF @ 15V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 10.6nC @ 10V | Rodzaj FET | 2 N-Channel (Dual) |
Cecha FET | Standard | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30V |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 6.2A | ||
Pobieranie | DMN3032LFDB-13 PDF - EN.pdf |
DMN3032LFDB-13 Zapasy | DMN3032LFDB-13 Cena | DMN3032LFDB-13 Electronics | |||
Komponenty DMN3032LFDB-13 | DMN3032LFDB-13 Zapasy | DMN3032LFDB-13 Digikey | |||
Dostawca DMN3032LFDB-13 | Zamów DMN3032LFDB-13 online | Zapytanie DMN3032LFDB-13 | |||
Obraz DMN3032LFDB-13 | DMN3032LFDB-13 Zdjęcie | DMN3032LFDB-13 PDF | |||
Arkusz danych DMN3032LFDB-13 | Pobierz arkusz danych DMN3032LFDB-13 | Producent Diodes Incorporated |
Powiązane części dla DMN3032LFDB-13 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
DMN3032LFDBQ-13 | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | Diodes Incorporated | |||
DMN3030LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | Diodes Incorporated | |||
DMN3033LSD-13 MOS | DIODES SOP | DIODES | |||
DMN3033LSD-13-F | DMN3033LSD-13-F DIODES | DIODES | |||
DMN3033LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Diodes Incorporated | |||
DMN3032LE MOS | VBSEMI SOT-223 | VBSEMI | |||
DMN3030LSS-13-F | DMN3030LSS-13-F DIODES | DIODES | |||
DMN3032LFDB | DMN3032LFDB DFN2x26L | DFN2x26L | |||
DMN3033LSD | DMN3033LSD DIODES | DIODES | |||
DMN3032LFDB-7 | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 | Diodes Incorporated | |||
DMN3031LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | Diodes Incorporated | |||
DMN3032LFDBQ-7 | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020 | Diodes Incorporated | |||
DMN3033LDM-7 MOS | DIODES SOT-26 | DIODES | |||
DMN3032LE-13 | MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 | Diodes Incorporated | |||
DMN3033LDM-7-F | DMN3033LDM-7-F DIODES | DIODES | |||
DMN3032LE | DMN3032LE DIODES | DIODES | |||
DMN3030LSS-13 MOS | DIODES SOP-8 | DIODES | |||
DMN3032LE-13 MOS | DIODES TO-223 | DIODES | |||
DMN3033LDM-7 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 | Diodes Incorporated | |||
DMN3031LSS-13-F | DMN3031LSS-13-F DIODES | DIODES |
Aktualności
JeszczeIT Home poinformował 16 kwietnia, że według „globalnego raportu rynku sprzętu półprzewodników” opublikowanego niedawno przez organizację prz...
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Niedawno, w obliczu możliwości przeniesienia ASML (ASML Holding N.V.), rząd holenderski zaproponował wielki plan przeznaczenia 2,5 miliarda euro (...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.