| IXFX12N90Q | |
|---|---|
| Part Number | IXFX12N90Q |
| Producent | IXYS Corporation |
| Opis | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247 |
| dostępna ilość | 3789 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| IXFX12N90Q Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o IXFX12N90Q | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | IXFX12N90Q | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | IXYS Corporation | Opis | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247 |
| Pakiet / obudowa | Bulk | dostępna ilość | 3789 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | PLUS247™-3 | Seria | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 900 mOhm @ 6A, 10V | Strata mocy (max) | 300W (Tc) |
| Opakowania | Bulk | Package / Case | TO-247-3 |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2900pF @ 25V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 900V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Pobieranie | IXFX12N90Q PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ IXFX12N90Q Online.
| IXFX12N90Q Zapasy | IXFX12N90Q Cena | IXFX12N90Q Electronics | |||
| Komponenty IXFX12N90Q | IXFX12N90Q Zapasy | IXFX12N90Q Digikey | |||
| Dostawca IXFX12N90Q | Zamów IXFX12N90Q online | Zapytanie IXFX12N90Q | |||
| Obraz IXFX12N90Q | IXFX12N90Q Zdjęcie | IXFX12N90Q PDF | |||
| Arkusz danych IXFX12N90Q | Pobierz arkusz danych IXFX12N90Q | Producent IXYS Corporation | |||
| Powiązane części dla IXFX12N90Q | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
IXFX150N30P3 | MOSFET N-CH 300V 150A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFX170N20T | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX140N25T | MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX170N20P | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX100N65X2 | MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX120N30T | MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX140N30P | MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247 | IXYS | ||
|
IXFX120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX120N65X2 | MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX15N100 | MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247 | IXYS | ||
|
IXFX160N30T | MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247 | IXYS | ||
 |
IXFX 34N80 | IXYS | |||
|
IXFV96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220 | IXYS | ||
|
IXFX16N90 | IXYS New | IXYS | ||
|
IXFX120N30P3 | MOSFET N-CH 300V 120A TO-247 | IXYS | ||
Aktualności
Jeszcze
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Niedawno, w obliczu możliwości przeniesienia ASML (ASML Holding N.V.), rząd holenderski zaproponował wielki plan przeznaczenia 2,5 miliarda euro (...
W pierwszym kwartale przemysł półprzewodnikowy zbliża się do końca Destocking, a ceny pamięci nadal rosną.Czy popyt rynkowy odzyskał?Opracowa...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.