| APT1201R4BFLLG | |
|---|---|
| Part Number | APT1201R4BFLLG |
| Producent | Microsemi |
| Opis | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 |
| dostępna ilość | 2986 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| APT1201R4BFLLG Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o APT1201R4BFLLG | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | APT1201R4BFLLG | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | Microsemi | Opis | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 |
| Pakiet / obudowa | Tube | dostępna ilość | 2986 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | TO-247 [B] | Seria | POWER MOS 7® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 1.5 Ohm @ 4.5A, 10V | Strata mocy (max) | 300W (Tc) |
| Opakowania | Tube | Package / Case | TO-247-3 |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2030pF @ 25V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Pobieranie | APT1201R4BFLLG PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ APT1201R4BFLLG Online.
| APT1201R4BFLLG Zapasy | APT1201R4BFLLG Cena | APT1201R4BFLLG Electronics | |||
| Komponenty APT1201R4BFLLG | APT1201R4BFLLG Zapasy | APT1201R4BFLLG Digikey | |||
| Dostawca APT1201R4BFLLG | Zamów APT1201R4BFLLG online | Zapytanie APT1201R4BFLLG | |||
| Obraz APT1201R4BFLLG | APT1201R4BFLLG Zdjęcie | APT1201R4BFLLG PDF | |||
| Arkusz danych APT1201R4BFLLG | Pobierz arkusz danych APT1201R4BFLLG | Producent Microsemi | |||
| Powiązane części dla APT1201R4BFLLG | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
APT11GP60BDQBG | IGBT 600V 41A 187W TO247 | Microsemi | ||
 |
APT11GP60BDQG | APT11GP60BDQG APT | APT | ||
|
APT1201R5SVFR | APT1201R5SVFR APT | APT | ||
|
APT12031JLL | APT New | APT | ||
|
APT1201R6SVFR | APT1201R6SVFR APT | APT | ||
|
APT11N80BC3 | APT11N80BC3 APT | APT | ||
|
APT1201R4BFLL | APT1201R4BFLL APT | APT | ||
|
APT11N80BC3G | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | Microsemi Corporation | ||
|
APT1201R6SVFRG | APT1201R6SVFRG APT | APT | ||
|
APT11M120B | APT11M120B APT | APT | ||
|
APT1201R2BFLL | APT New | APT | ||
|
APT1201R5BVR | APT New | APT | ||
|
APT1201R6BVR | APT1201R6BVR APT | APT | ||
 |
APT12031JFLL | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | Microsemi Corporation | ||
 |
APT11N80KC3G | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Microsemi Corporation | ||
|
APT1201R4BLLG | APT1201R4BLLG APT | APT | ||
|
APT1201R2BLL | APT1201R2BLL APT | APT | ||
|
APT1201R4B | APT1201R4B APT | APT | ||
|
APT1201R4BLLX | APT1201R4BLLX APT | APT | ||
|
APT1201R4BLL | APT New | APT | ||
Aktualności
Jeszcze
W miarę postępu technologii i nadchodzącego wieku informacyjnego sieci optyczne, wydajna i niezawodna metoda transmisji danych, stopniowo przekszta...
IT Home poinformował 16 kwietnia, że według „globalnego raportu rynku sprzętu półprzewodników” opublikowanego niedawno przez organizację prz...
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.