| APT12057JLL | |
|---|---|
| Part Number | APT12057JLL |
| Producent | Microsemi |
| Opis | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 |
| dostępna ilość | 3142 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| APT12057JLL Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o APT12057JLL | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | APT12057JLL | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | Microsemi | Opis | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 |
| Pakiet / obudowa | Bulk | dostępna ilość | 3142 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA | Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | SOT-227 | Seria | POWER MOS 7® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V | Strata mocy (max) | 520W (Tc) |
| Opakowania | Bulk | Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Chassis Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 6200pF @ 25V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 290nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 19A |
| Pobieranie | APT12057JLL PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ APT12057JLL Online.
| APT12057JLL Zapasy | APT12057JLL Cena | APT12057JLL Electronics | |||
| Komponenty APT12057JLL | APT12057JLL Zapasy | APT12057JLL Digikey | |||
| Dostawca APT12057JLL | Zamów APT12057JLL online | Zapytanie APT12057JLL | |||
| Obraz APT12057JLL | APT12057JLL Zdjęcie | APT12057JLL PDF | |||
| Arkusz danych APT12057JLL | Pobierz arkusz danych APT12057JLL | Producent Microsemi | |||
| Powiązane części dla APT12057JLL | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
APT1204R7KLLG | APT1204R7KLLG APT | APT | ||
 |
APT12057LFLLG | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | Microsemi Corporation | ||
 |
APT1204R7KFLLG | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | Microsemi Corporation | ||
|
APT12060B2VFR | APT New | APT | ||
|
APT12060B2VR | APT12060B2VR APT | APT | ||
 |
APT12057B2FLLG | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Microsemi Corporation | ||
|
APT12060LVRG | APT12060LVRG APT | APT | ||
|
APT12057LLL | APT New | APT | ||
|
APT12057B2FLLG | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Microsemi Corporation | ||
|
APT12057B2LL | APT New | APT | ||
 |
APT12057B2LLG | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Microsemi Corporation | ||
|
APT12057LFLL | APT12057LFLL APT | APT | ||
|
APT1204R7BFLLG | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | Microsemi Corporation | ||
|
APT1204R7BFLL | APT New | APT | ||
|
APT12057B2FLL | APT New | APT | ||
|
APT12060LVR | APT New | APT | ||
|
APT12067B2FLLG | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Microsemi Corporation | ||
|
APT12057JFLL | APT New | APT | ||
|
APT12057JLLX | APT New | APT | ||
|
APT12060B2VF | APT12060B2VF APT | APT | ||
Aktualności
Jeszcze
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Niedawno, w obliczu możliwości przeniesienia ASML (ASML Holding N.V.), rząd holenderski zaproponował wielki plan przeznaczenia 2,5 miliarda euro (...
W pierwszym kwartale przemysł półprzewodnikowy zbliża się do końca Destocking, a ceny pamięci nadal rosną.Czy popyt rynkowy odzyskał?Opracowa...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.