APT30F50B | |
---|---|
Part Number | APT30F50B |
Producent | Microsemi |
Opis | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
dostępna ilość | 3037 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
Model ECAD | |
Arkusze danych | |
APT30F50B Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informacje techniczne o APT30F50B | |||
---|---|---|---|
Numer części producenta | APT30F50B | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
Producent | Microsemi | Opis | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
Pakiet / obudowa | Tube | dostępna ilość | 3037 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Vgs (maks.) | ±30V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-247 [B] |
Seria | POWER MOS 8™ | RDS (Max) @ ID, Vgs | 190 mOhm @ 14A, 10V |
Strata mocy (max) | 415W (Tc) | Opakowania | Tube |
Package / Case | TO-247-3 | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Through Hole | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 4525pF @ 25V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 115nC @ 10V | Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 500V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Pobieranie | APT30F50B PDF - EN.pdf |
APT30F50B Zapasy | APT30F50B Cena | APT30F50B Electronics | |||
Komponenty APT30F50B | APT30F50B Zapasy | APT30F50B Digikey | |||
Dostawca APT30F50B | Zamów APT30F50B online | Zapytanie APT30F50B | |||
Obraz APT30F50B | APT30F50B Zdjęcie | APT30F50B PDF | |||
Arkusz danych APT30F50B | Pobierz arkusz danych APT30F50B | Producent Microsemi |
Powiązane części dla APT30F50B | |||||
---|---|---|---|---|---|
Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
APT30GN60BDQ2 | APT30GN60BDQ2 APT | APT | |||
APT30DS30B | APT30DS30B APT | APT | |||
APT30DQ60BCTG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30GN60BDQ2G | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30F60J | MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 | Microsemi Corporation | |||
APT30GN60BG | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30GL100BN | APT New | APT | |||
APT30DS20HJ | DIODE MODULE 200V SOT227 | Microsemi Corporation | |||
APT30DQ60BCT | IGBT Modules | APT | |||
APT30GF60JU2 | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | Microsemi Corporation | |||
APT30GF60BN | APT New | APT | |||
APT30DS60BG | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30GF60JU3 | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | Microsemi Corporation | |||
APT30DS60B | APT30DS60B PHILIPS | PHILIPS | |||
APT30DQ60BHBG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30DQ60K | APT30DQ60K APT | APT | |||
APT30F50S | MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK | Microsemi Corporation | |||
APT30GN60B | IGBT Modules | APT | |||
APT30DQ60KG | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220 | Microsemi Corporation | |||
APT30DQ60BG | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 | Microsemi Corporation |
Aktualności
JeszczeW miarę postępu technologii i nadchodzącego wieku informacyjnego sieci optyczne, wydajna i niezawodna metoda transmisji danych, stopniowo przekszta...
IT Home poinformował 16 kwietnia, że według „globalnego raportu rynku sprzętu półprzewodników” opublikowanego niedawno przez organizację prz...
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Nowe Produkty
JeszczeCzujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.