| 1N5811US | |
|---|---|
| Part Number | 1N5811US |
| Producent | Semtech |
| Opis | DIODE GEN PURP 150V 6A |
| dostępna ilość | 2679 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1N5811US.pdf |
| 1N5811US Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o 1N5811US | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | 1N5811US | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | Semtech | Opis | DIODE GEN PURP 150V 6A |
| Pakiet / obudowa | Bulk | dostępna ilość | 2679 pcs |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 875mV @ 4A | Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) | 150V |
| Dostawca urządzeń Pakiet | - | Prędkość | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria | - | Odwrócona Recovery Time (TRR) | 30ns |
| Opakowania | Bulk | Package / Case | SQ-MELF |
| Inne nazwy | 1N5811USS | Temperatura pracy - złącze | - |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Standardowy czas oczekiwania producenta | 46 Weeks |
| Typ diody | Standard | szczegółowy opis | Diode Standard 150V 6A Surface Mount |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 5µA @ 150V | Obecny - Średnia Spirytus (Io) | 6A |
| Pojemność @ VR F | 60pF @ 5V, 1MHz | ||
| Pobieranie | 1N5811US PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ 1N5811US Online.
| 1N5811US Zapasy | 1N5811US Cena | 1N5811US Electronics | |||
| Komponenty 1N5811US | 1N5811US Zapasy | 1N5811US Digikey | |||
| Dostawca 1N5811US | Zamów 1N5811US online | Zapytanie 1N5811US | |||
| Obraz 1N5811US | 1N5811US Zdjęcie | 1N5811US PDF | |||
| Arkusz danych 1N5811US | Pobierz arkusz danych 1N5811US | Producent Semtech | |||
| Powiązane części dla 1N5811US | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
1N5809US | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | Microsemi Corporation | ||
 |
1N5815 | RECTIFIER DIODE | Microsemi | ||
 |
1N5811C.TR | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | Semtech | ||
 |
1N5811TR | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | Microsemi Corporation | ||
|
1N5813R | RECTIFIER DIODE | Microsemi | ||
|
1N5812R | RECTIFIER DIODE | Microsemi | ||
 |
1N5812 | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | Microsemi Corporation | ||
|
1N5815R | RECTIFIER DIODE | Microsemi | ||
|
1N5808 | DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG | Microsemi Corporation | ||
|
1N5813 | RECTIFIER DIODE | Microsemi | ||
|
1N5807US | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | Microsemi Corporation | ||
 |
1N5811 | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | Semtech | ||
 |
1N5809 | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Microsemi Corporation | ||
|
1N5809US | DIODE GEN PURP 100V 6A | Semtech | ||
|
1N5814R | RECTIFIER DIODE | Microsemi | ||
 |
1N5814 | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Microsemi Corporation | ||
|
1N5816 | RECTIFIER DIODE | Microsemi | ||
|
1N5809US.TR | DIODE GEN PURP 100V 6A | Semtech | ||
|
1N5811US | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | Microsemi Corporation | ||
|
1N5809 | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | Semtech | ||
Aktualności
Jeszcze
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Niedawno, w obliczu możliwości przeniesienia ASML (ASML Holding N.V.), rząd holenderski zaproponował wielki plan przeznaczenia 2,5 miliarda euro (...
W pierwszym kwartale przemysł półprzewodnikowy zbliża się do końca Destocking, a ceny pamięci nadal rosną.Czy popyt rynkowy odzyskał?Opracowa...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.