| 1N5406 | |
|---|---|
| Part Number | 1N5406 |
| Producent | ON Semiconductor |
| Opis | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| dostępna ilość | 10443 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | 1N5406.pdf |
| 1N5406 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o 1N5406 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | 1N5406 | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | ON Semiconductor | Opis | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Pakiet / obudowa | Bulk | dostępna ilość | 10443 pcs |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max) | Standard | Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 3A |
| Napięcie - Podział | DO-201AD | Seria | - |
| Stan RoHS | Bulk | Odwrócona Recovery Time (TRR) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F | - | Polaryzacja | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Inne nazwy | 1N5406OS | Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) | Numer części producenta | 1N5406 |
| Rozszerzony opis | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD | Diode Configuration | 10µA @ 600V |
| Opis | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 1V @ 3A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode) | 600V | Pojemność @ VR F | -65°C ~ 170°C |
| Pobieranie | 1N5406 PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ 1N5406 Online.
| 1N5406 Zapasy | 1N5406 Cena | 1N5406 Electronics | |||
| Komponenty 1N5406 | 1N5406 Zapasy | 1N5406 Digikey | |||
| Dostawca 1N5406 | Zamów 1N5406 online | Zapytanie 1N5406 | |||
| Obraz 1N5406 | 1N5406 Zdjęcie | 1N5406 PDF | |||
| Arkusz danych 1N5406 | Pobierz arkusz danych 1N5406 | Producent | |||
| Powiązane części dla 1N5406 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
1N5406-TP | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Micro Commercial Co | ||
 |
1N5406-E3/54 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
1N5406-E3/51 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||
 |
1N5405 | DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
1N5406-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
1N5406 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | N/A | ||
 |
1N5406-G | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Comchip Technology | ||
|
1N5405-E3/54 | DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||
 |
1N5406-B | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Diodes Incorporated | ||
|
1N5404RLG | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | N/A | ||
|
1N5406 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | N/A | ||
|
1N5406 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Fairchild/ON Semiconductor | ||
|
1N5404TA | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | SMC Diode Solutions | ||
|
1N5405-E3/54 | DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
1N5406-E3/51 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
1N5406-T | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Diodes Incorporated | ||
 |
1N5404RLG | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | ON Semiconductor | ||
|
1N5406-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||
|
1N5406-E3/54 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||
|
1N5404TA | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | SMC Diode Solutions | ||
Aktualności
Jeszcze
W miarę postępu technologii i nadchodzącego wieku informacyjnego sieci optyczne, wydajna i niezawodna metoda transmisji danych, stopniowo przekszta...
IT Home poinformował 16 kwietnia, że według „globalnego raportu rynku sprzętu półprzewodników” opublikowanego niedawno przez organizację prz...
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.