| FDP027N08B | |
|---|---|
| Part Number | FDP027N08B |
| Producent | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Opis | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| dostępna ilość | 31500 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | FDP027N08B.pdf |
| FDP027N08B Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o FDP027N08B | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | FDP027N08B | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Opis | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Pakiet / obudowa | Tube | dostępna ilość | 31500 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-220-3 |
| Seria | PowerTrench® | RDS (Max) @ ID, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Strata mocy (max) | 246W (Tc) | Opakowania | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 | temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 13530pF @ 40V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 178nC @ 10V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 80V | szczegółowy opis | N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) | ||
| Pobieranie | FDP027N08B PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ FDP027N08B Online.
| FDP027N08B Zapasy | FDP027N08B Cena | FDP027N08B Electronics | |||
| Komponenty FDP027N08B | FDP027N08B Zapasy | FDP027N08B Digikey | |||
| Dostawca FDP027N08B | Zamów FDP027N08B online | Zapytanie FDP027N08B | |||
| Obraz FDP027N08B | FDP027N08B Zdjęcie | FDP027N08B PDF | |||
| Arkusz danych FDP027N08B | Pobierz arkusz danych FDP027N08B | Producent | |||
| Powiązane części dla FDP027N08B | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
FDP027N06B | FDP027N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B-F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP032N06 | FDP032N06 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06BH | FDP020N06BH FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP030N06B | FDP030N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B_F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B_F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06B IC | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP023N08B | FDP023N08B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B MOS | ON TO-220 | ON | ||
|
FDP030N06B_F102 | FDP030N06B_F102 N/A | N/A | ||
|
FDP023N08BH | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06BTU | FDP030N06BTU FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP025N06 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP020N06B_F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
Aktualności
Jeszcze
W miarę postępu technologii i nadchodzącego wieku informacyjnego sieci optyczne, wydajna i niezawodna metoda transmisji danych, stopniowo przekszta...
IT Home poinformował 16 kwietnia, że według „globalnego raportu rynku sprzętu półprzewodników” opublikowanego niedawno przez organizację prz...
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.