| DMP2008UFG-7 | |
|---|---|
| Part Number | DMP2008UFG-7 |
| Producent | Diodes Incorporated |
| Opis | MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 |
| dostępna ilość | 6460 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Arkusze danych | 1.DMP2008UFG-7.pdf2.DMP2008UFG-7.pdf3.DMP2008UFG-7.pdf |
| DMP2008UFG-7 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o DMP2008UFG-7 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | DMP2008UFG-7 | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | Diodes Incorporated | Opis | MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 |
| Pakiet / obudowa | PowerDI3333-8 | dostępna ilość | 6460 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±8V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PowerDI3333-8 |
| Seria | - | RDS (Max) @ ID, Vgs | 8mOhm @ 12A, 4.5V |
| Strata mocy (max) | 2.4W (Ta), 41W (Tc) | Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 6909 pF @ 10 V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 72 nC @ 4.5 V | Rodzaj FET | P-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20 V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 54A (Tc) |
| Podstawowy numer produktu | DMP2008 | ||
| Pobieranie | DMP2008UFG-7 PDF - EN.pdf | ||
Model Produktu
DMP2008UFG-7
Wprowadzenie
Wysokowydajny P-Channel MOSFET
Marka i Producent
Diodes Incorporated
Funkcje
P-Channel MOSFET, technologia montażu powierzchniowego, zaprojektowany do zastosowań o wysokiej wydajności i zarządzania mocą
Wydajność Produktu
Działa efektywnie w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, maksymalne wydzielanie mocy 2.4W w temperaturze otoczenia i 41W w temperaturze obudowy, obsługuje wysoki prąd drenu do 54A w temperaturze obudowy, niski Rds(on) wynoszący 8 mΩ zapewnia zmniejszone straty mocy
Specyfikacja Techniczna
Napięcie drenu do źródła (Vdss): 20V, ciągły prąd drenu (Id): 54A w temperaturze obudowy, Rds On (maks) przy 12A, 4.5V napięcia bramkowego-źródłowego, napiecie progowe bramki-źródła (Vgs(th)): 1V przy 250μA, ładunek bramki (Qg): 72nC przy 4.5V, pojemność wejściowa (Ciss): 6909pF przy 10V napięcia drenu-źródła, Napięcie sterujące dla Max/Min Rds On: 1.5V do 4.5V
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie 8-PowerWDFN, pakowane w taśmę i bęben do zautomatyzowanego montażu
Jakość i Niezawodność
Zaprojektowany z myślą o trwałości w wymagających zastosowaniach, konsekwentna wydajność zapewniona przez rygorystyczne kontrole jakości
Zalety Produktu
Niska rezystancja w stanie włączonym poprawia wydajność, wysoka zdolność prądowa odpowiednia dla zastosowań intensywnie wykorzystujących moc, optymalizacja zarządzania cieplnego dzięki wysokiej pojemności wydzielania mocy
Konkurencyjność Produktu
Wysoko konkurencyjny w zastosowaniach zarządzania mocą, oferuje lepszą efektywność energetyczną w porównaniu do podobnych MOSFET-ów na rynku
Kompatybilność
Kompatybilny ze standardowym sprzętem technologicznym montażu powierzchniowego
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodny z normami przemysłowymi dla komponentów elektronicznych
Długość Życia i Trwałość
Zaprojektowany na długotrwałą eksploatację w rygorystycznych warunkach, zrównoważony rozwój dzięki niskiemu wydzielaniu mocy i efektywnemu wykorzystaniu energii
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Zasilacze, konwertery DC-DC, napędy silników, systemy zarządzania bateriami, regulatory przełączające
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub złóż zapytanie ofertowe (RFQ) DMP2008UFG-7 online.
| Stan magazynowy DMP2008UFG-7 | Cena DMP2008UFG-7 | DMP2008UFG-7 Elektronika | |||
| DMP2008UFG-7 Komponenty | Zapas DMP2008UFG-7 | DMP2008UFG-7 Digikey | |||
| Dostawca DMP2008UFG-7 | Zamów DMP2008UFG-7 online | Zapytanie DMP2008UFG-7 | |||
| Obraz DMP2008UFG-7 | Zdjęcie DMP2008UFG-7 | PDF DMP2008UFG-7 | |||
| Karta katalogowa DMP2008UFG-7 | Pobierz kartę katalogową DMP2008UFG-7 | Producent Diodes Incorporated | |||
| Powiązane części dla DMP2008UFG-7 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
DMP2012SN-7 | MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3 | Diodes Incorporated | ||
 |
DMP2006UFGQ-7 | MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2006UFGQ-13 | MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2012SN-7 MOS | DIODES S | DIODES | ||
|
DMP2008UFG-13 | MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2010UFV-13 | MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2007UFG-7 | MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2006UFG-13 | MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2005UFG-7 | MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2009UFG-7 | DIODES DFN | DIODES | ||
|
DMP2006UFG-7 | MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2012SN-7-F | DIODES SOT-23 | DIODES | ||
|
DMP2006UFG-7-36 | DIODES QFN | DIODES | ||
|
DMP2008USS-13 | MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2. | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2010UFG-7 | MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2007UFG-13 | MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2010UFG-13 | MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2010UFV-7 | MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 | Diodes Incorporated | ||
|
DMP2006UFG-7-55 | DIODES PDI33338 | DIODES | ||
|
DMP200K-7 | DMP200K-7 DIODES | DIODES | ||
Aktualności
Jeszcze
19 kwietnia 2026 r. (czasu lokalnego) doniesienia mediów cytujące źródła zaznajomione ze sprawą ujawniły, że Google, spółka zależna Alphabe...
Według *The Business Times* pilotażowa linia produkcyjna CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) firmy TSMC rozpoczęła dostarczanie sprzętu swojemu ze...
6 kwietnia czasu lokalnego amerykański gigant technologii sztucznej inteligencji (AI) Anthropic ogłosił, że podpisał nową umowę z Google i Broa...
1 kwietnia Microsoft ogłosił, że zainwestuje 5,5 miliarda dolarów w Singapurze, aby kontynuować rozbudowę infrastruktury chmury i sztucznej inte...
Samsung Electronics będzie pierwszą firmą, która dostarczy wyłącznie HBM4 nowej generacji firmie OpenAI, największej na świecie firmie zajmuj...
Nowe Produkty
Jeszcze
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchroniczny kontroler Boost zawiera synchroniczny kontroler doładowania i dwukanałowy monolityczny sterownik LED z s...
TOSHIBA TB67H453 Sterownik H-mostek H ma prądową funkcję monitorowania z sprzężeniem zwrotnym napięcia z pinu wyjściowego Isense.Absolutna maks...
Stmicroelectronics STSAFE-A120 Uwierzytelnianie ICS to wysoce bezpieczne zintegrowane obwody zaprojektowane w celu ochrony wrażliwych danych i urząd...
Stmicroelectronics STSAFE-A zoptymalizowane uwierzytelnianie ICS Wykorzystaj zaawansowane algorytmy kryptograficzne i techniki zarządzania kluczami w...
Diody włączone PI3DPX1235Q 6: 4 Liniowy redriver poprzeczny obsługuje przezroczyste szkolenie łącza DP dla zastosowań po stronie źródła.PI3DP...
E-mail: Info@ariat-tech.comTel. HK: +852 30501966Adres: Pok. 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
ul. Fa Yuen, MongKok, Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Wszelkie prawa zastrzeżone.