| IXFH80N65X2 | |
|---|---|
| Part Number | IXFH80N65X2 |
| Producent | IXYS Corporation |
| Opis | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 |
| dostępna ilość | 4958 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Model ECAD | |
| Arkusze danych | |
| IXFH80N65X2 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o IXFH80N65X2 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | IXFH80N65X2 | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | IXYS Corporation | Opis | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 |
| Pakiet / obudowa | Tube | dostępna ilość | 4958 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA | Vgs (maks.) | ±30V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-247 |
| Seria | HiPerFET™ | RDS (Max) @ ID, Vgs | 40 mOhm @ 40A, 10V |
| Strata mocy (max) | 890W (Tc) | Opakowania | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 | temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 8245pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 143nC @ 10V | Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - | Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 650V | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Pobieranie | IXFH80N65X2 PDF - EN.pdf | ||
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ IXFH80N65X2 Online.
| IXFH80N65X2 Zapasy | IXFH80N65X2 Cena | IXFH80N65X2 Electronics | |||
| Komponenty IXFH80N65X2 | IXFH80N65X2 Zapasy | IXFH80N65X2 Digikey | |||
| Dostawca IXFH80N65X2 | Zamów IXFH80N65X2 online | Zapytanie IXFH80N65X2 | |||
| Obraz IXFH80N65X2 | IXFH80N65X2 Zdjęcie | IXFH80N65X2 PDF | |||
| Arkusz danych IXFH80N65X2 | Pobierz arkusz danych IXFH80N65X2 | Producent IXYS Corporation | |||
| Powiązane części dla IXFH80N65X2 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
IXFH88N20P | IXFH88N20P IXYS | IXYS | ||
|
IXFH80N65X2 94N65 MOS | IXYS TO-247 | IXYS | ||
 |
IXFH80N08 | MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH80N20Q | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD | IXYS | ||
|
IXFH80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH80N20 | IXFH80N20 IXYS | IXYS | ||
|
IXFH88N20Q | MOSFET N-CH 200V 88A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH80N30P3 | MOSFET N-CH 300V 80A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH88N30P MOS | IXYS TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH8N65 | IXFH8N65 IXYS | IXYS | ||
|
IXFH80N06 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH80N15Q | MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD | IXYS | ||
|
IXFH80N10Q | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD | IXYS | ||
|
IXFH80N085 | MOSFET N-CH 85V 80A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH86N30T | MOSFET N-CH 300V 86A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH80N65X2-4 | MOSFET N-CH | IXYS Corporation | ||
|
IXFH88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH80N65X2 IC | IXYS TO-247 | IXYS | ||
|
IXFH82N25 | IXFH82N25 IXYS | IXYS | ||
 |
IXFH80N25X3 | MOSFET N-CH 250V 80A TO247 | IXYS | ||
Aktualności
Jeszcze
W miarę postępu technologii i nadchodzącego wieku informacyjnego sieci optyczne, wydajna i niezawodna metoda transmisji danych, stopniowo przekszta...
IT Home poinformował 16 kwietnia, że według „globalnego raportu rynku sprzętu półprzewodników” opublikowanego niedawno przez organizację prz...
Związek Szwedzki, jeśli Metall ogłosiło 10 kwietnia, że strajk Tesli Mechanics jest jednym z najdłuższych sporów pracy w kraju i nadal zakłó...
Niedawno główni producenci pamięci, tacy jak Micron, Samsung i Western Digital, ogłosili wzrost cen.Znawcy branży wskazują, że od pierwszego kw...
W powietrzu normalna frakcja objętościowa zawartości tlenu wynosi około 20,9%, ale gdy zawartość tlenu spada poniżej tej wartości, może prowa...
Nowe Produkty
Jeszcze
Czujnik fotoelektryczny serii PD30 Miniaturowe czujniki fotoelektryczne Carlo Gavazzi charakteryzuj...
Zestaw do oceny XC112 / XR112 dla koherentnego radaru impulsowego A111 Zestaw ewaluacyjny XC112 i XR...
Serwonapęd i silniki Serii MINAS A6 Rodzina MINAS A6 firmy Panasonic zapewnia stabilną pracę, zmn...
Tablica sterująca UV LED Płytka sterownika LED RayVio dla serii XE i XP1 emitera UV-C Płytka st...
Przemysłowy i rozszerzony test DDR SDRAM Urządzenia DDR SDRAM firmy Insignis gwarantują pracę w ...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.