| SISS46DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SISS46DN-T1-GE3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK |
| dostępna ilość | 3400 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Arkusze danych | SISS46DN-T1-GE3.pdf |
| SISS46DN-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SISS46DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SISS46DN-T1-GE3 | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK |
| Pakiet / obudowa | PowerPAK® 1212-8S | dostępna ilość | 3400 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PowerPAK® 1212-8S |
| Seria | TrenchFET® Gen IV | RDS (Max) @ ID, Vgs | 12.8mOhm @ 10A, 10V |
| Stan produktu | Active | Strata mocy (max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S | Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2140 pF @ 50 V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100 V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta), 45.3A (Tc) | Podstawowy numer produktu | SISS46 |
Model Produktu
SISS46DN-T1-GE3
Wprowadzenie
Transistor MOSFET od Vishay specjalizujący się w aplikacjach zarządzania energią.
Marka i Producent
Vishay
Funkcje
Wysokowydajna synchroniczna prostownica w SMPS; niskie ładunki bramki i pojemności; niski spadek napięcia na przewodzeniu; szybka dioda karoserii; 100% testowany Rg i UIS.
Wydajność Produktu
Optymalizowany pod kątem szybkiego przełączania; niski opór w stanie włączenia redukuje straty przewodzenia; zwiększona gęstość mocy.
Specyfikacja Techniczna
MOSFET w kanale P; napięcie dren-źródło (Vds) 30V; napięcie bramka-źródło (Vgs) 25V; ciągły prąd drenowy (Id) 20A; maksymalne wydzielanie mocy (Pd): 2,4 W; RDS(on) przy Vgs -10 V, Id = 13,1 A: 4,1 mΩ.
Rozmiar, Kształt i Opakowanie
Opakowanie PowerPAK® 1212-8; rozmiar opakowania: 3,3 mm x 3,3 mm; opakowanie na taśmie i bębenku do automatycznego montażu.
Jakość i Niezawodność
Wysoka wydajność w wysokich temperaturach do 175°C; spełnia standardy przemysłowe w zakresie niezawodności; zakwalifikowany do AEC-Q101 do aplikacji motoryzacyjnych.
Zalety Produktu
Oszeędzające energię niski opór w stanie włączenia; wysoka zdolność do przewodzenia dużych prądów.
Konkurencyjność Produktu
Optymalna równowaga między oporem w stanie włączenia a szybkością przełączania; konkurencyjna wydajność w kategorii wyspecjalizowanych układów scalonych.
Kompatybilność
Kompatybilny z technologią montażu powierzchniowego (SMT); łatwość integracji z istniejącymi systemami.
Certyfikacja Standardowa i Zgodność
Zgodność z RoHS; zakwalifikowany do AEC-Q101.
Długość Życia i Trwałość
Zaprojektowany do niezawodnego działania przez długi czas; stworzony z myślą o wydajności energetycznej, co przyczynia się do zrównoważonego rozwoju systemu.
Rzeczywiste Pole Zastosowań
Systemy zasilania i zarządzania; konwertery DC-DC; aplikacje motoryzacyjne; systemy telekomunikacyjne; systemy zasilania serwerów i komputerów.
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SISS46DN-T1-GE3 Online.
| SISS46DN-T1-GE3 Zapasy | SISS46DN-T1-GE3 Cena | SISS46DN-T1-GE3 Electronics | |||
| Komponenty SISS46DN-T1-GE3 | SISS46DN-T1-GE3 Zapasy | SISS46DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Dostawca SISS46DN-T1-GE3 | Zamów SISS46DN-T1-GE3 online | Zapytanie SISS46DN-T1-GE3 | |||
| Obraz SISS46DN-T1-GE3 | SISS46DN-T1-GE3 Zdjęcie | SISS46DN-T1-GE3 PDF | |||
| Arkusz danych SISS46DN-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SISS46DN-T1-GE3 | Producent Vishay / Siliconix | |||
| Powiązane części dla SISS46DN-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
SISS4402DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
|
SISS32DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS40DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5110DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | Vishay Siliconix | ||
|
SISS30LDN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SISS40DN | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SISS42LDN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS54DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
|
SISS32ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5710DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | Vishay Siliconix | ||
|
SISS42DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5808DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5708DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | Vishay Siliconix | ||
|
SISS32LDN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS50DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5112DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5623DN-T1-GE3 | P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
|
SISS52DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SISS40DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SISS5108DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW | Vishay Siliconix | ||
Aktualności
Jeszcze
19 kwietnia 2026 r. (czasu lokalnego) doniesienia mediów cytujące źródła zaznajomione ze sprawą ujawniły, że Google, spółka zależna Alphabe...
Według *The Business Times* pilotażowa linia produkcyjna CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) firmy TSMC rozpoczęła dostarczanie sprzętu swojemu ze...
6 kwietnia czasu lokalnego amerykański gigant technologii sztucznej inteligencji (AI) Anthropic ogłosił, że podpisał nową umowę z Google i Broa...
1 kwietnia Microsoft ogłosił, że zainwestuje 5,5 miliarda dolarów w Singapurze, aby kontynuować rozbudowę infrastruktury chmury i sztucznej inte...
Samsung Electronics będzie pierwszą firmą, która dostarczy wyłącznie HBM4 nowej generacji firmie OpenAI, największej na świecie firmie zajmuj...
Nowe Produkty
Jeszcze
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchroniczny kontroler Boost zawiera synchroniczny kontroler doładowania i dwukanałowy monolityczny sterownik LED z s...
TOSHIBA TB67H453 Sterownik H-mostek H ma prądową funkcję monitorowania z sprzężeniem zwrotnym napięcia z pinu wyjściowego Isense.Absolutna maks...
Stmicroelectronics STSAFE-A120 Uwierzytelnianie ICS to wysoce bezpieczne zintegrowane obwody zaprojektowane w celu ochrony wrażliwych danych i urząd...
Stmicroelectronics STSAFE-A zoptymalizowane uwierzytelnianie ICS Wykorzystaj zaawansowane algorytmy kryptograficzne i techniki zarządzania kluczami w...
Diody włączone PI3DPX1235Q 6: 4 Liniowy redriver poprzeczny obsługuje przezroczyste szkolenie łącza DP dla zastosowań po stronie źródła.PI3DP...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.