| SISS61DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SISS61DN-T1-GE3 |
| Producent | Vishay Siliconix |
| Opis | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
| dostępna ilość | 46055 pcs new original in stock. Zamów akcje i oferty |
| Arkusze danych | SISS61DN-T1-GE3.pdf |
| SISS61DN-T1-GE3 Price |
Poproś o cenę i czas dostawy online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informacje techniczne o SISS61DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Numer części producenta | SISS61DN-T1-GE3 | Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Producent | Vishay / Siliconix | Opis | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
| Pakiet / obudowa | PowerPAK® 1212-8S | dostępna ilość | 46055 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | Vgs (maks.) | ±8V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | PowerPAK® 1212-8S |
| Seria | TrenchFET® Gen III | RDS (Max) @ ID, Vgs | 3.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| Stan produktu | Active | Strata mocy (max) | 5W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S | Pakiet | Tape & Reel (TR) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 8740 pF @ 10 V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 231 nC @ 10 V |
| Rodzaj FET | P-Channel | Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20 V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) | Podstawowy numer produktu | SISS61 |
Napisz do nas: Info@Ariat-Tech.com lub RFQ SISS61DN-T1-GE3 Online.
| SISS61DN-T1-GE3 Zapasy | SISS61DN-T1-GE3 Cena | SISS61DN-T1-GE3 Electronics | |||
| Komponenty SISS61DN-T1-GE3 | SISS61DN-T1-GE3 Zapasy | SISS61DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Dostawca SISS61DN-T1-GE3 | Zamów SISS61DN-T1-GE3 online | Zapytanie SISS61DN-T1-GE3 | |||
| Obraz SISS61DN-T1-GE3 | SISS61DN-T1-GE3 Zdjęcie | SISS61DN-T1-GE3 PDF | |||
| Arkusz danych SISS61DN-T1-GE3 | Pobierz arkusz danych SISS61DN-T1-GE3 | Producent Vishay / Siliconix | |||
| Powiązane części dla SISS61DN-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Obraz | Part Number | Opis | Producent | Uzyskaj wycenę | |
 |
SISS70DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS60DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS66DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK | Vishay Siliconix | ||
 |
SISS66DN-T1-GE3-A | HAY | |||
|
SISS67DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S | Vishay Siliconix | ||
|
SISS588DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
|
SISS64DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5710DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5623DN-T1-GE3 | P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
 |
SISS60DN-T1-GE3 IC | VISHAY DFN | VISHAY | ||
|
SISS65DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS66DN-T1-E3 | VISHAY | |||
|
SISS62DN-T1-GE3 | VISHAY PowerPAK1212-8S | VISHAY | ||
|
SISS5708DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5112DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | Vishay Siliconix | ||
|
SISS5808DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
|
SISS66DN-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAK1212-8 | VISHAY | ||
|
SISS63DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK | Vishay Siliconix | ||
|
SISS54DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
|
SISS52DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK | Vishay Siliconix | ||
Aktualności
Jeszcze
19 kwietnia 2026 r. (czasu lokalnego) doniesienia mediów cytujące źródła zaznajomione ze sprawą ujawniły, że Google, spółka zależna Alphabe...
Według *The Business Times* pilotażowa linia produkcyjna CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) firmy TSMC rozpoczęła dostarczanie sprzętu swojemu ze...
6 kwietnia czasu lokalnego amerykański gigant technologii sztucznej inteligencji (AI) Anthropic ogłosił, że podpisał nową umowę z Google i Broa...
1 kwietnia Microsoft ogłosił, że zainwestuje 5,5 miliarda dolarów w Singapurze, aby kontynuować rozbudowę infrastruktury chmury i sztucznej inte...
Samsung Electronics będzie pierwszą firmą, która dostarczy wyłącznie HBM4 nowej generacji firmie OpenAI, największej na świecie firmie zajmuj...
Nowe Produkty
Jeszcze
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synchroniczny kontroler Boost zawiera synchroniczny kontroler doładowania i dwukanałowy monolityczny sterownik LED z s...
TOSHIBA TB67H453 Sterownik H-mostek H ma prądową funkcję monitorowania z sprzężeniem zwrotnym napięcia z pinu wyjściowego Isense.Absolutna maks...
Stmicroelectronics STSAFE-A120 Uwierzytelnianie ICS to wysoce bezpieczne zintegrowane obwody zaprojektowane w celu ochrony wrażliwych danych i urząd...
Stmicroelectronics STSAFE-A zoptymalizowane uwierzytelnianie ICS Wykorzystaj zaawansowane algorytmy kryptograficzne i techniki zarządzania kluczami w...
Diody włączone PI3DPX1235Q 6: 4 Liniowy redriver poprzeczny obsługuje przezroczyste szkolenie łącza DP dla zastosowań po stronie źródła.PI3DP...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966DODAJ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Informacja o prawach autorskich © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Wszelkie prawa zastrzeżone.